咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：76A，导通电阻(RDS(on))：6.9mΩ@10V,12A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，耗散功率(Pd)：52.1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：640mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：900V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：5.9Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：56A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：120V，连续漏极电流(Id)：48A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,30A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：73A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V,13.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：92A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@10V,5.6A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：159A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V,50A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：800V，连续漏极电流(Id)：17A，导通电阻(RDS(on))：290mΩ@10V,11A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.2Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：1.6Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：89mΩ@4.5V,4.2A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：950mA，导通电阻(RDS(on))：480mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：150mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：5.3Ω@4.5V,500mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,2.8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：5.1A，导通电阻(RDS(on))：35mΩ@4.5V,5.1A，耗散功率(Pd)：1.6W
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：50V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 100mA，5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V,2.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：550mA，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V4.2A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.15A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V