ASDM20P09ZB-R
ASDsemi(安森德)
SOT-23-3
¥0.2256
5,440
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):6A,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@2.5V
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ASDM20P09ZB-R
ASDsemi(安森德)
SOT-23-3

9000+:¥0.2256

6000+:¥0.2383

3000+:¥0.2637

300+:¥0.2954

100+:¥0.3377

10+:¥0.4222

5440

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ASDM20P09ZB-R
ASDsemi(安森德)
SOT23-3

5000+:¥0.2576

2000+:¥0.2645

500+:¥0.276

300+:¥0.299

100+:¥0.322

1+:¥0.345

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 6A
导通电阻(RDS(on)) 28mΩ@2.5V