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DMN63D8LW-13
DIODES(美台)
SOT-323
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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DMN63D8LW-13
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DIODES(美台)
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SOT-323
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10000+:￥0.1123 2000+:￥0.1355 600+:￥0.1522 200+:￥0.18 20+:￥0.2301 |
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立创商城
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DMN63D8LW-13
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DIODES INCORPORATED
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SOT-323
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1000+:￥0.1274 100+:￥0.1402 1+:￥0.1568 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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DIODES(美台)
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SOT323
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10000+:￥0.11 1+:￥0.121 |
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圣禾堂
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DMN63D8LW-13
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美台(DIODES)
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SOT-323
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100000+:￥0.121 20000+:￥0.1306 10000+:￥0.1375 1000+:￥0.1925 100+:￥0.275 20+:￥0.4476 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 380mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 欧姆 @ 250mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23.2 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |