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TPH2R608NH,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：75 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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TPH2R608NH,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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5000+:￥3.5 1+:￥3.64 |
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1000+:￥3.61 500+:￥3.76 100+:￥4.1 30+:￥4.85 10+:￥5.53 1+:￥6.75 |
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TOSHIBA(东芝)
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SOP-8-Advance(5x6)
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1000+:￥3.61 500+:￥3.76 100+:￥4.09 30+:￥4.85 10+:￥5.52 1+:￥6.74 |
4386 |
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Toshiba(东芝)
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SOP-8-Advance(5x6)
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 72 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6000 pF @ 37.5 V |
| 功率耗散（最大值） | 142W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |