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SI2305DS-T1-GE3-VB
VBsemi(微碧)
SOT-23(TO-236)
场效应管(MOSFET)
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2305DS-T1-GE3-VB
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VBsemi(微碧半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.166 1+:￥0.188 |
5175 |
25+
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圣禾堂
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VBsemi(微碧)
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SOT-23
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3000+:￥0.17264 1+:￥0.19552 |
5171 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2305DS-T1-GE3-VB
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VBsemi(微碧半导体)
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SOT-23(TO-236)
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9000+:￥0.1813 6000+:￥0.1936 3000+:￥0.2182 300+:￥0.2786 100+:￥0.3197 10+:￥0.4018 |
1720 |
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立创商城
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SI2305DS-T1-GE3-VB
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VBsemi(微碧)
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SOT-23
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500+:￥0.2425 100+:￥0.2478 10+:￥0.2743 1+:￥0.2832 |
418 |
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华秋商城
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SI2305DS-T1-GE3-VB
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VBsemi(微碧半导体)
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SOT23-3
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3000+:￥0.249 200+:￥0.2808 120+:￥0.4368 |
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3天-15天
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唯样商城
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V |