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NTF5P03T3G
onsemi(安森美)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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NTF5P03T3G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥2.0 500+:￥2.18 100+:￥2.73 30+:￥3.3 10+:￥3.88 1+:￥5.03 |
3063 |
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立创商城
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NTF5P03T3G
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安森美(onsemi)
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SOT-223
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40000+:￥3.8533 8000+:￥4.1599 4000+:￥4.3788 1000+:￥6.1303 300+:￥8.7576 10+:￥14.253 |
8000 |
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油柑网
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NTF5P03T3G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-223
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1+:￥2.0384 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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NTF5P03T3G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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30+:￥3.244 10+:￥3.244 1+:￥3.244 |
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20+/21+
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在芯间
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NTF5P03T3G
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ON(安森美)
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SOT-223-3
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4000+:￥3.5 1+:￥3.64 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 950 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.56W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |