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SI2319DS-T1-GE3
VISHAY(威世)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2319DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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1000+:￥1.3034 500+:￥1.3916 100+:￥1.5386 30+:￥1.91 10+:￥2.18 1+:￥2.81 |
723 |
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立即发货
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立创商城
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SI2319DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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100+:￥1.59 30+:￥1.93 10+:￥2.2 1+:￥2.83 |
3645 |
20+/21+
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在芯间
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SI2319DS-T1-GE3
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Vishay Semiconductors
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SOT-23-3，TO-236
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3000+:￥1.375 |
3000 |
24+
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5-7工作日
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云汉芯城
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SI2319DS-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.54 1+:￥1.62 |
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圣禾堂
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SI2319DS-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23-3
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1000+:￥1.7733 500+:￥2.0393 100+:￥2.2166 30+:￥2.4826 10+:￥3.0146 1+:￥3.5466 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 82 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 17 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 470 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |