HSU60P03
HUASHUO(华朔)
TO-252-2
¥1.1405
2,680
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):60A,耗散功率(Pd):52.1W
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HSU60P03
HUASHUO(华朔)
TO-252-2

500+:¥1.1405

150+:¥1.4153

50+:¥1.6011

5+:¥2.0346

1050

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HSU60P03
HUASHUO(华朔)
TO-252

100+:¥1.167

30+:¥1.442

10+:¥1.628

1+:¥2.061

1630

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 60A
耗散功率(Pd) 52.1W