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CSD19531Q5A
TI(德州仪器)
VSONP-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(5x6)
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1000+:￥5.8212 500+:￥6.0172 100+:￥6.4778 30+:￥7.63 10+:￥8.91 1+:￥10.51 |
602 |
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立即发货
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立创商城
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Texas Instruments
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3000+:￥6.4736 2000+:￥6.647 |
121814 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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CSD19531Q5A
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Texas Instruments
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12500+:￥8.9683 2500+:￥9.1509 |
6325 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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TI(德州仪器)
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DFN-8(4.9x5.8)
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2500+:￥4.49 1+:￥4.68 |
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圣禾堂
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德州仪器(TI)
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DFN-8(4.9x5.8)
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1000+:￥8.5067 500+:￥9.7827 100+:￥10.6334 30+:￥11.9094 10+:￥14.4614 1+:￥17.0134 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.4 毫欧 @ 16A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 48 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3870 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |