咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.7A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1Ω@10V,300mA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,2.5A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@2.5V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V；80mΩ@2.5V；65mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V,3A，阈值电压(Vgs(th))：1.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：42mΩ@1.8V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，阈值电压(Vgs(th))：1.1V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V,4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.6A，导通电阻(RDS(on))：46mΩ@10V；54mΩ@4.5V；49mΩ@6V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：24.5A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：900mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：260 毫欧 @ 880mA，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：4.2Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：16A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.7A，导通电阻(RDS(on))：185mΩ@10V,2.4A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：32A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：69mΩ@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V；12mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：115mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：32A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V,8A
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，3.1A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 8A，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：22A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V,20A
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A，2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：95 毫欧 @ 2.5A，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V,35A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V