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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：28A，导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：280A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.7Ω@5V
漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：4.5Ω@2.5V,0.1A，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V；2.05Ω@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V,0.66A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@1.8V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：1W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@10V；60mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.2W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：41mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：310mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：36mΩ@4.5V,4A，耗散功率(Pd)：1.4W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：190mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V,0.19A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V,4.2A，耗散功率(Pd)：1.2W
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：350mA，200mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.37A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：240V，连续漏极电流(Id)：110mA，导通电阻(RDS(on))：9.07Ω@4.5V,0.09A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@5V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：23A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：11A，阈值电压(Vgs(th))：1.2V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：12V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8.8A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,8.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：43A，导通电阻(RDS(on))：6.9mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，430mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：310mΩ@4.5V,2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，耗散功率(Pd)：20W