咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：7.3mΩ@4.5V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平栅极，5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 5A，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：65A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@4.5V,15A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4.5A，导通电阻(RDS(on))：76mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：600mΩ@4.5V,1A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@10V,5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：78A，导通电阻(RDS(on))：7.2mΩ@10V,78A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：530mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A，3.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 4.5A，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：16.4 毫欧 @ 10A，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：340mΩ@10V,9A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：2.6mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@10V,100A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：62A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@10V,5.6A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：160mΩ@10V,10.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：330A，导通电阻(RDS(on))：2mΩ@10V
晶体管类型：LDMOS，频率：520MHz，增益：20.9dB，电压 - 测试：7.5 V，电流 - 测试：100 mA
FET 类型：N 通道，技术：SiCFET（碳化硅），漏源电压（Vdss）：1700 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@4.5V,3.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：360mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：410mA，导通电阻(RDS(on))：1.8Ω@4.5V,0.41A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1A，导通电阻(RDS(on))：450mΩ@1.8V，耗散功率(Pd)：300mW
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@10V,500mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：540mA，导通电阻(RDS(on))：840mΩ@1.8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.16A，导通电阻(RDS(on))：47mΩ@10V,3.5A
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@4.5V,5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.6A，导通电阻(RDS(on))：56mΩ@10V,3.6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.4A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@1.8V,1A
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：44mΩ@10V，耗散功率(Pd)：1.2W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.4A，导通电阻(RDS(on))：455mΩ@1.8V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：2.2A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@4.5V,2.2A，耗散功率(Pd)：500mW