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IPD031N06L3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TO-252
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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IPD031N06L3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252
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500+:￥5.0 100+:￥5.42 30+:￥6.39 10+:￥7.24 1+:￥8.78 |
704 |
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立创商城
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IPD031N06L3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TO-252-3(DPAK)
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2500+:￥5.8 1+:￥6.0 |
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圣禾堂
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IPD031N06L3GATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TO-252-3
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100+:￥10.8896 30+:￥13.0675 10+:￥16.3344 1+:￥19.6013 |
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油柑网
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IPD031N06L3GATMA1
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INFINEON
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PG-TO252-3
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1+:￥11.0868 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.1 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 93µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 79 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |