IRFR7446TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252
¥1.25
44,425
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):56A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
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IRFR7446TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3(DPAK)

2000+:¥1.25

1+:¥1.31

5324

2年内
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IRFR7446TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥1.3

1+:¥1.3624

5323

2年内
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IRFR7446TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252

1000+:¥1.37

500+:¥1.46

100+:¥1.58

30+:¥1.93

10+:¥2.21

1+:¥2.86

3257

-
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IRFR7446TRPBF
英飞凌(INFINEON)
TO-252-2

20000+:¥2.244

4000+:¥2.4225

2000+:¥2.55

500+:¥3.57

200+:¥5.1

10+:¥8.3003

30457

-
IRFR7446TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252AA

100+:¥3.6727

30+:¥3.8866

10+:¥3.9579

1+:¥4.3145

64

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3150 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 98W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63