咨询/建议
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V,10A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：120V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：5.4mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 和 P 沟道互补型，FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.1A，3.2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 5.1A，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：21A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V,10.5A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，导通电阻(RDS(on))：1.2mΩ@10V,150A，耗散功率(Pd)：375W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：900mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：21.7mΩ@4.5V；29mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：510mΩ@4.5V,0.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：270mA（Ta），330mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V,4.2A，耗散功率(Pd)：1.2W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：43mΩ@10V；66mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：180mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：380mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：50V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：160mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 欧姆 @ 100mA，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V,3A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V,6.5A，耗散功率(Pd)：1.4W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：3.9A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@4.5V,3.5A，耗散功率(Pd)：1.25W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.2A，导通电阻(RDS(on))：70mΩ@4.5V；90mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：330mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：82mΩ@4.5V,5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@4.0V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，2.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,5.3A，耗散功率(Pd)：50W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@10V，耗散功率(Pd)：37W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V