咨询/建议
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：47mΩ@10V；85mΩ@2.5V；60mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V
漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@2.5V，阈值电压(Vgs(th))：1.45V@250uA，栅极电荷量(Qg)：7nC@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@10V,4.2A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：65mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.2A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@2.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V,5.8A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.9Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：142mΩ@2.5V,2A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：3Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：1.7Ω@5V,50mA
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@4.5V,45A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：28mΩ@10V,20A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.8A，导通电阻(RDS(on))：37mΩ@4.5V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V,0.22A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V,1mA
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V,1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.7Ω@4.5V,0.2A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：58mΩ@4.5V,1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，耗散功率(Pd)：225mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：87mΩ@4.5V,3A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：32mΩ@10V,5.8A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@4.5V,2.8A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@4.5V；145mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：130mA，导通电阻(RDS(on))：10Ω@5V,100mA
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：31.5mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.5W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.2A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V,5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，导通电阻(RDS(on))：5mΩ@10V，阈值电压(Vgs(th))：2.2V@250uA