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CSD18504Q5A
TI(德州仪器)
SON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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TI(德州仪器)
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8-VSONP（5x6）
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2500+:￥2.12 1+:￥2.21 |
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圣禾堂
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2500+:￥2.2048 1+:￥2.2984 |
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硬之城
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1+:￥2.8793 |
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京北通宇
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TI(德州仪器)
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SON-8(5x6)
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30+:￥3.74 10+:￥4.26 1+:￥5.28 |
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TI(德州仪器)
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VSONP8_4.9X5.75MM
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1000+:￥5.85 500+:￥6.0 100+:￥6.3 30+:￥6.6 1+:￥6.75 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.6 毫欧 @ 17A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1656 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），77W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |