TPH3R704PL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
DSOP-8-EP-5.0mm
¥2.3
10,691
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):40 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):92A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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TPH3R704PL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
DSOP-8-EP-5.0mm

1000+:¥2.3

500+:¥2.44

100+:¥2.71

30+:¥3.16

10+:¥3.61

1+:¥4.52

4135

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TPH3R704PL,L1Q(M
TOSHIBA(东芝)
DSOP-8-EP-5.0mm

500+:¥2.43

100+:¥2.7

30+:¥3.15

10+:¥3.61

1+:¥4.51

760

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TPH3R704PL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP Advance

100+:¥2.71

30+:¥3.16

10+:¥3.62

1+:¥4.53

5747

20+/21+
TPH3R704PL,L1Q
TOSHIBA
8-PowerVDFN

1+:¥5.0392

49

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TPH3R704PL,L1Q
东芝(TOSHIBA)
DSOP-8-EP-5.0mm

1000+:¥3.6133

500+:¥4.1553

100+:¥4.5166

30+:¥5.0586

10+:¥6.1426

1+:¥7.2266

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 92A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.7 毫欧 @ 46A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 0.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 27 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2500 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 960mW(Ta),81W(Tc)
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN