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停产
AOD4185L
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
TO-252-2(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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AOD4185L
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AOS
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TO-252-2(DPAK)
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1000+:￥1.87 100+:￥2.13 20+:￥2.86 1+:￥3.12 |
1560 |
18+/20+
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在芯间
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AOD4185L
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AOS
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TO252
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2500+:￥1.02 1+:￥1.08 |
1 |
18+
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立即发货
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圣禾堂
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AOD4185L
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AOS(美国万代)
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TO-252-2(DPAK)
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2500+:￥1.0608 1+:￥1.1232 |
1 |
18+
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1-2工作日发货
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硬之城
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AOD4185L
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AOS
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TO-252-2(DPAK)
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5000+:￥1.38 2500+:￥1.46 500+:￥1.58 150+:￥1.85 50+:￥2.18 5+:￥2.68 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 55 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2550 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 62.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |