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CSD19537Q3T
TI(德州仪器)
VSONP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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250+:￥3.82 30+:￥4.89 10+:￥5.5 1+:￥6.73 |
394 |
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立即发货
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立创商城
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Texas Instruments
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SON
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1+:￥7.4438 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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SON
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500+:￥9.9365 100+:￥10.1035 10+:￥10.354 |
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4周
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云汉芯城
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德州仪器(TI)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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30+:￥6.48 10+:￥7.776 1+:￥11.664 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1680 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |