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SQ3427AEEV-T1_GE3
VISHAY(威世)
TSOP-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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3000+:￥1.53 1+:￥1.62 |
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圣禾堂
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3000+:￥1.5912 1+:￥1.6848 |
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25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Vishay(威世)
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TSOP
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3000+:￥1.683 1500+:￥1.782 750+:￥1.881 100+:￥2.101 20+:￥2.64 |
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Vishay(威世)
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TSOP
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3000+:￥1.7158 |
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VISHAY(威世)
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TSOP-6
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1000+:￥1.94 500+:￥2.0 100+:￥2.12 30+:￥2.33 10+:￥2.53 1+:￥2.94 |
5385 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |