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PSMN5R6-60YLX
Nexperia(安世)
LFPAK56(PowerSO-8)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PSMN5R6-60YLX
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Nexperia(安世)
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SOT-669
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500+:￥4.25 100+:￥4.35 20+:￥5.65 1+:￥6.35 |
3000 |
22+
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在芯间
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PSMN5R6-60YLX
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Nexperia(安世)
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SOT669
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1500+:￥3.1049 1000+:￥3.5707 100+:￥4.3562 1+:￥5.7502 |
30 |
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3天-5天
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唯样商城
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PSMN5R6-60YLX
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Nexperia(安世)
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LFPAK56(PowerSO-8)
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2500+:￥3.21 |
0 |
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立即发货
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立创商城
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PSMN5R6-60YLX
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Nexperia(安世)
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LFPAK56-5
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1500+:￥3.22 1+:￥3.36 |
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立即发货
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圣禾堂
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PSMN5R6-60YLX
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安世(Nexperia)
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SOT-669
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7500+:￥3.3205 1500+:￥3.6894 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 66.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5026 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 167W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |