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SI2328A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.15A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI2328A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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9000+:￥0.1356 6000+:￥0.1402 3000+:￥0.1494 300+:￥0.1724 100+:￥0.1877 10+:￥0.2184 |
17050 |
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立即发货
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立创商城
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SI2328A
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UMW(友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.141 1+:￥0.159 |
5576 |
2年内
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圣禾堂
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SI2328A
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.14664 1+:￥0.16536 |
5570 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI2328A
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UMW(友台)
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SOT-23
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3000+:￥0.2115 1500+:￥0.2385 200+:￥0.2745 140+:￥0.3692 |
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3天-15天
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SI2328A
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UMW(友台)
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SOT-23
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3000+:￥0.1581 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.15A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 730mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |