咨询/建议
类型：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,650mA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@4.5V,15A
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：39mΩ@4.5V；58mΩ@2.5V，耗散功率(Pd)：1.7W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，8V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：3W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：3.8A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，耗散功率(Pd)：30W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：78A，导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@10V
FET 类型：N 和 P 沟道互补型，FET 功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A，2.5A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：65 毫欧 @ 3.4A，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V；28mΩ@2.5V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V,4A，耗散功率(Pd)：1.1W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：49mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：34A，导通电阻(RDS(on))：12.5mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V,1.5A，耗散功率(Pd)：3W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ@10V,20A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.9A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：365 毫欧 @ 1.2A，10V
漏源电压(Vdss)：60V，耗散功率(Pd)：2W，阈值电压(Vgs(th))：1.2V，输入电容(Ciss)：1.45nF@20V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：31A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：46A，导通电阻(RDS(on))：16.5mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：5，5A（Ta），14A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；24mΩ@4.5V
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），32A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：14.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：52mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：150mΩ@10V,25A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：82V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：240V，连续漏极电流(Id)：350mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@10V,0.35A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：103A，导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ@10V,20A，耗散功率(Pd)：50W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V；21mΩ@4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@10V；60mΩ@4.5V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.5A（Ta），不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 9.5A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：290A，导通电阻(RDS(on))：1.8mΩ@10V,160A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,20A，工作温度：-55℃~+150℃
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：85V，连续漏极电流(Id)：120A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V，耗散功率(Pd)：104W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V