BSS84DW-7-F
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.13208
130,473
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 个 P 沟道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):50V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 欧姆 @ 100mA,5V
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BSS84DW-7-F
DIODES(美台)
SOT363

3000+:¥0.127

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BSS84DW-7-F
Diodes(美台)
SC-70-6(SOT-363)

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1+:¥0.14976

6863

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BSS84DW-7-F
Diodes(美台)
SOT-363-6

3000+:¥0.13387

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100+:¥0.1412

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BSS84DW-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-363-6

100+:¥0.1455

1+:¥0.2523

87046

2221
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BSS84DW-7-F
美台(DIODES)
SOT-363-6

30000+:¥0.1522

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3000+:¥0.173

800+:¥0.2422

100+:¥0.346

20+:¥0.5631

4547

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 130mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 45pF @ 25V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363