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AO3414A
UMW(友台半导体)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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封装
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价格(含税)
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UMW(友台半导体)
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3000+:￥0.08 1+:￥0.101 |
7768 |
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圣禾堂
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UMW(友台半导体)
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21000+:￥0.0807 9000+:￥0.0884 3000+:￥0.1027 600+:￥0.1191 200+:￥0.1465 20+:￥0.1959 |
3500 |
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UMW(广东友台半导体)
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SOT-23
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3000+:￥0.0832 1+:￥0.10504 |
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2年内
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UMW(友台)
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3000+:￥0.12 1500+:￥0.1515 210+:￥0.243 |
8028 |
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UMW AO3414A
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UMW(友台)
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2000+:￥0.1254 1000+:￥0.1311 500+:￥0.139 100+:￥0.1559 20+:￥0.1729 5+:￥0.1898 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 436 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |