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TPH3R70APL,L1Q
TOSHIBA(东芝)
SOP-8-Advance
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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TPH3R70APL,L1Q(M
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TOSHIBA(东芝)
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SOP-8-Advance
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1000+:￥5.25 500+:￥5.44 100+:￥5.88 30+:￥6.85 10+:￥7.79 1+:￥9.29 |
4560 |
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立创商城
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TPH3R70APL,L1Q
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Toshiba(东芝)
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PowerVDFN8
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1000+:￥11.0789 500+:￥11.5606 100+:￥12.524 30+:￥13.4873 1+:￥13.969 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.7mOhm @ 45A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 67 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6300 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 960mW（Ta），170W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |