咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：30A，耗散功率(Pd)：88W
FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：20mΩ@4.5V,4.5A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：7mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V；24mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：70 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta），120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：500V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：1.25Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V,6A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7.7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：10.2A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V；14mΩ@4.5V
停产
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：110A，导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@10V；230mΩ@6V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：85A，导通电阻(RDS(on))：6.4mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@4.5V,10A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Ta），50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：24A，导通电阻(RDS(on))：4.8mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.7A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：5.6mΩ@10V，耗散功率(Pd)：70W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：640mΩ@10V,6A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：145A，导通电阻(RDS(on))：1.7mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：4mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：900V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：2.7Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：165A，导通电阻(RDS(on))：1.9mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：40V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 6A，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
停产
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：900 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：900V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@10V
FET 类型：2 个 P 沟道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，10V
数量：1个N沟道，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：99mΩ@10V,10.5A，耗散功率(Pd)：117W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V