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STB55NF06T4
ST(意法半导体)
D2PAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：50A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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价格(含税)
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STB55NF06T4
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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1000+:￥1.9668 500+:￥1.9965 100+:￥2.0592 30+:￥2.2044 10+:￥3.0401 1+:￥4.1181 |
1064 |
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ST(意法半导体)
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D2PAK
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100+:￥2.39 30+:￥2.768 10+:￥3.961 1+:￥5.768 |
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20+/21+
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在芯间
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1000+:￥2.92 1+:￥3.06 |
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硬之城
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1000+:￥3.212 100+:￥3.366 20+:￥4.202 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 60 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |