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FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.07A，845mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 600mA，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：800mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：55V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：630mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：238mA（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：37.5mΩ@10V；54mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2.5A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：33mΩ@10V；52mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：8.2A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V,7A
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.34A，1.14A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@4.5V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：4.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：95mΩ@10V；140mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：1.2Ω@10V,3.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：260mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；50mΩ@-10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：7.5A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,6A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：250mΩ@2.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@2.5V,3.7A
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V，耗散功率(Pd)：50W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：25V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 220mA，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：5.5A；3.4A，导通电阻(RDS(on))：22mΩ@10V；55mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：7.9mΩ@10V，耗散功率(Pd)：108W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：47mΩ@4.5V,10A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,1A
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 5.8A，10V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：75W
漏源电压(Vdss)：30V，阈值电压(Vgs(th))：1V，栅极电荷量(Qg)：4.8nC@15V，输入电容(Ciss)：429pF@25V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V,15A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：18.5A，导通电阻(RDS(on))：4.7mΩ@10V；6.3mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：3.1W
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@10V，耗散功率(Pd)：2.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：142mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：300 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@4.5V,15A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：2W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：68V，连续漏极电流(Id)：88A，导通电阻(RDS(on))：6.3mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：9.2mΩ@10V，耗散功率(Pd)：62.5W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V