ZXMP7A17GTA
DIODES(美台)
SOT-223
¥1.199
8,159
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):70 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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ZXMP7A17GTA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.09

1+:¥1.18

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ZXMP7A17GTA
美台(DIODES)
SOT-223

10000+:¥1.199

2000+:¥1.2944

1000+:¥1.3625

500+:¥1.9075

100+:¥2.725

10+:¥4.4349

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Diodes(达尔)
SOT-223

1000+:¥1.199

50+:¥1.298

30+:¥1.683

3475

-
3天-15天
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DIODES(美台)
SOT-223

1000+:¥1.26

500+:¥1.35

100+:¥1.49

30+:¥1.81

10+:¥2.06

1+:¥2.66

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ZXMP7A17GTA
DIODES INCORPORATED
SOT-223

1+:¥2.0533

6

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 160 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 18 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 635 pF @ 40 V
功率耗散(最大值) 2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA