咨询/建议
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@4.5V,2.8A，耗散功率(Pd)：1.14W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：650mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V；120mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：900mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：9.6A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：15mΩ@10V,20A
不适用于新设计
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：215mΩ@10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：27mΩ@4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：140mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：1.2A，导通电阻(RDS(on))：680mΩ@10V,1A
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.3A，导通电阻(RDS(on))：90mΩ@4.5V；140mΩ@2.7V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@10V，耗散功率(Pd)：45W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：10A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V,10A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：150V，连续漏极电流(Id)：1.5A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@10V,1.5A，阈值电压(Vgs(th))：3.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：65V，连续漏极电流(Id)：85A，导通电阻(RDS(on))：8.4mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.2A（Ta），9.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：3W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：100V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：68 毫欧 @ 4A，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：9.7mΩ@10V，耗散功率(Pd)：57W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：700V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：1.1Ω@10V,2A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：45A，导通电阻(RDS(on))：21mΩ@4.5V,5A，耗散功率(Pd)：31W
漏源电压(Vdss)：60V，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V,30A，耗散功率(Pd)：125W，阈值电压(Vgs(th))：4V@250uA
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：27A，导通电阻(RDS(on))：16mΩ@10V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：82V，连续漏极电流(Id)：95A，导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：11A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@10V,13A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：400A，导通电阻(RDS(on))：1.4mΩ@4.5V,30A
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：18A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：45W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V