咨询/建议
HYG011N04LS1C2
HUAYI(华羿微)
DFN5x6-8
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：165A，导通电阻(RDS(on))：1.9mΩ@4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
HYG011N04LS1C2
|
HUAYI(华羿微)
|
DFN5x6-8
|
1000+:￥1.86 500+:￥1.98 100+:￥2.2 30+:￥2.58 10+:￥2.96 1+:￥3.71 |
5172 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
HYG011N04LS1C2
|
HUAYI(华羿微)
|
DFN5x6-8
|
100+:￥2.72 30+:￥3.18 10+:￥3.65 1+:￥4.58 |
1838 |
20+/21+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 165A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@4.5V |