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停产
FDD5614P
onsemi(安森美)
TO-252-2
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDD5614P
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ON(安森美)
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TO-252
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2500+:￥1.7 1+:￥1.79 |
296 |
23+
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立即发货
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圣禾堂
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FDD5614P
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onsemi(安森美)
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TO-252-2
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1000+:￥1.7 500+:￥1.8 100+:￥2.01 30+:￥2.35 10+:￥2.69 1+:￥3.38 |
940 |
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立即发货
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立创商城
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FDD5614P
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ON(安森美)
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TO-252-2,TO-252AA
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2500+:￥1.768 1+:￥1.8616 |
294 |
23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDD5614P
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安森美(onsemi)
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TO-252AA
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25000+:￥1.87 5000+:￥2.0188 2500+:￥2.125 800+:￥2.975 200+:￥4.25 10+:￥6.9169 |
296 |
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油柑网
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FDD5614P
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ON(安森美)
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TO-252-2,TO-252AA
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5000+:￥1.9386 1000+:￥1.9746 500+:￥2.0106 100+:￥2.0448 10+:￥2.07 |
54463 |
23+
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现货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 759 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |