咨询/建议
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：30A，耗散功率(Pd)：56W
不适用于新设计
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：870mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：340 毫欧 @ 200mA，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.7A，导通电阻(RDS(on))：180mΩ@4.5V,1A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：26mΩ@10V,15A
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6A；5.5A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@10V,5.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：6mΩ@4.5V,15A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：9.4A，导通电阻(RDS(on))：210mΩ@10V，耗散功率(Pd)：48W
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：12mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：5.4mΩ@10V,20A
不适用于新设计
FET 类型：2 N 沟道（双）共漏，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 7A，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@4.5V,10A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：7A，导通电阻(RDS(on))：1.4Ω@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：240 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：260mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：50A，导通电阻(RDS(on))：14mΩ@10V,30A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A，功率(Pd)：3.5W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：5.5mΩ@10V,20A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：8.3mΩ@10V,45A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：2.5W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：4mΩ@10V,20A
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：75A，导通电阻(RDS(on))：8.5mΩ@10V，耗散功率(Pd)：46W
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@10V,12A，耗散功率(Pd)：2.5W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：35V，连续漏极电流(Id)：6.2A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V；48mΩ@4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：840mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：53A，导通电阻(RDS(on))：17mΩ@4.5V,13A，耗散功率(Pd)：30W
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不适用于新设计
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：178A，导通电阻(RDS(on))：2mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：78W
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：40A，导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ@10V,20A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：2.3mΩ@10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：2个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：5.3A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@10V；60mΩ@4.5V
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.6A，5.3A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：29 毫欧 @ 6A，4.5V