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CSD16406Q3
TI(德州仪器)
VSON-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：25 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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TI(德州仪器)
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VSON-8(3.3x3.3)
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1000+:￥3.2274 500+:￥3.3561 100+:￥3.6531 30+:￥4.36 10+:￥4.96 1+:￥6.04 |
857 |
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立创商城
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8
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1000+:￥3.57 500+:￥4.15 200+:￥4.73 1+:￥5.9 |
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19+/20+
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在芯间
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
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1+:￥4.79857 |
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现货
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硬之城
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TI
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8-VSON
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1+:￥2.6397 |
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2104
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京北通宇
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TI(德州仪器)
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8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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2500+:￥2.83 1+:￥2.96 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19A（Ta），60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +16V，-12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1100 pF @ 12.5 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |