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NTD20P06LT4G
onsemi(安森美)
DPAK
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.5A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
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价格(含税)
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NTD20P06LT4G
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ON(安森美)
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TO-252-4
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2500+:￥1.9 1+:￥1.99 |
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圣禾堂
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onsemi(安森美)
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DPAK
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1000+:￥1.919 500+:￥2.0425 100+:￥2.2705 30+:￥2.8 10+:￥3.21 1+:￥4.03 |
4651 |
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立创商城
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ON(安森美)
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DPAK
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2500+:￥1.976 1+:￥2.0696 |
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硬之城
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TO-252-4
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1250+:￥2.189 100+:￥2.519 20+:￥3.267 |
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唯样商城
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ON SEMICONDUCTOR
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100+:￥2.156 1+:￥2.548 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 7.5A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 26 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 65W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |