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CSD13202Q2
TI(德州仪器)
SON-8(2x2)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：12 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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CSD13202Q2
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TI
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6-WSON
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1+:￥0.7568 |
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2219
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现货最快4H发
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京北通宇
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CSD13202Q2
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德州仪器(TI)
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SON-8(2x2)
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30000+:￥0.9877 6000+:￥1.0663 3000+:￥1.1224 800+:￥1.5714 200+:￥2.2448 10+:￥3.6534 |
1079 |
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油柑网
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CSD13202Q2
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TI(德州仪器)
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SON-8(2x2)
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150+:￥1.0938 50+:￥1.2967 5+:￥1.6388 |
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立创商城
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CSD13202Q2
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TI(德州仪器)
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6-WSON（2x2）
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1000+:￥0.897 1+:￥0.986 |
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立即发货
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圣禾堂
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CSD13202Q2
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TI(德州仪器)
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WSON6_EP
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1+:￥1.035 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.3 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 997 pF @ 6 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China External:Taiwan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN External:1 |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:3 |