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SI4497DY-T1-GE3
VISHAY(威世)
SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI4497DY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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8-SO
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2500+:￥4.75 1+:￥4.95 |
178 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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SI4497DY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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2500+:￥4.94 1+:￥5.148 |
170 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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SI4497DY-T1-GE3
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VISHAY(威世)
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SO-8
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1000+:￥5.1313 500+:￥5.3447 100+:￥5.8006 30+:￥7.72 10+:￥8.67 1+:￥10.4 |
2197 |
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立即发货
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立创商城
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SI4497DY-T1-GE3
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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100+:￥5.984 7+:￥7.183 |
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3天-15天
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唯样商城
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威世(VISHAY)
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SOIC-8
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500+:￥9.9867 100+:￥11.4847 30+:￥13.9814 10+:￥16.9774 1+:￥19.9734 |
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油柑网
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