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IRF740ASPBF
VISHAY(威世)
D2PAK(TO-263)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：400 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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渠道
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VISHAY(威世)
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TO-263-3
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1000+:￥5.06 1+:￥5.24 |
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圣禾堂
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VISHAY(威世)
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D2PAK(TO-263)
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500+:￥5.15 100+:￥5.35 30+:￥5.81 10+:￥6.21 1+:￥6.95 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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TO-263-3
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1000+:￥5.2624 1+:￥5.4496 |
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硬之城
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Vishay(威世)
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2年内
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威世(VISHAY)
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D2PAK
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10000+:￥5.566 2000+:￥6.0088 1000+:￥6.325 500+:￥8.855 100+:￥12.65 10+:￥20.5879 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 36 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1030 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |