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BSP296NH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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价格(含税)
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1000+:￥1.2 1+:￥1.3 |
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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1000+:￥1.42 500+:￥1.51 100+:￥1.67 30+:￥2.01 10+:￥2.29 1+:￥2.94 |
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立创商城
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INFINEON
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SOT-223
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1+:￥2.4206 |
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2209
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.7 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 152.7 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |