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DMT3009LDT-7
DIODES(美台)
V-DFN3030-8K
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型，FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMT3009LDT-7
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DIODES(美台)
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V-DFN3030-8K
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6000+:￥1.0157 3000+:￥1.0891 500+:￥1.2113 150+:￥1.6871 50+:￥1.9072 5+:￥2.4208 |
2055 |
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立创商城
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DMT3009LDT-7
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DIODES(美台)
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VDFN30308
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3000+:￥1.07 1+:￥1.13 |
1380 |
2年内
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圣禾堂
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美台(DIODES)
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V-DFN3030-8K
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30000+:￥1.144 6000+:￥1.235 3000+:￥1.3 800+:￥1.82 200+:￥2.6 10+:￥4.2315 |
3000 |
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油柑网
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DMT3009LDT-7
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DIODES(美台)
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V-DFN3030-8
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600+:￥1.329 50+:￥1.997 5+:￥2.4899 |
350 |
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华秋商城
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Diodes(达尔)
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VDFN
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100+:￥1.474 30+:￥1.848 |
140 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）非对称型 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.1 毫欧 @ 14.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 20nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |