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DMTH6004SK3Q-13
DIODES(美台)
TO-252(DPAK)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMTH6004SK3Q-13
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DIODES(美台)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥3.41 500+:￥3.55 100+:￥3.99 30+:￥4.7 10+:￥5.32 1+:￥6.46 |
4883 |
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立即发货
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立创商城
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DMTH6004SK3Q-13
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美台(DIODES)
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TO-252(DPAK)
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1000+:￥3.5972 500+:￥4.1368 100+:￥4.4965 30+:￥5.0361 10+:￥6.1152 1+:￥7.1944 |
0 |
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油柑网
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DMTH6004SK3Q-13
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DIODES(美台)
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TO-252(DPAK)
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30+:￥4.42 10+:￥4.98 1+:￥6.08 |
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20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.8 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 95.4 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4556 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.9W（Ta），180W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |