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BSC014N06NSATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSC014N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥3.3 1+:￥3.44 |
11939 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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BSC014N06NS
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8-FL
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1000+:￥5.73 500+:￥5.93 100+:￥6.4 30+:￥7.44 10+:￥8.46 1+:￥10.09 |
2641 |
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立即发货
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立创商城
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BSC014N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8FL
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30+:￥7.71 10+:￥8.78 1+:￥10.73 |
12 |
20+/21+
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在芯间
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BSC014N06NS
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Infineon Technologies/IR
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TDSON(EP)
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25000+:￥3.588 15000+:￥3.6504 10000+:￥3.7128 5000+:￥3.8376 |
30000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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BSC014N06NS
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8FL
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5000+:￥3.6712 2500+:￥3.8168 1250+:￥4.004 100+:￥4.3264 1+:￥5.1896 |
19945 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.45 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 120µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 89 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6500 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），156W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |