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CSD18543Q3AT
TI(德州仪器)
VSONP-8(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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德州仪器(TI)
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VSONP-8
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2500+:￥2.0375 500+:￥2.1995 250+:￥2.3153 100+:￥3.2414 10+:￥4.6306 1+:￥7.5363 |
397 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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VSONP-8(3.3x3.3)
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30+:￥3.43 10+:￥3.91 1+:￥4.86 |
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立即发货
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立创商城
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TI(德州仪器)
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VSONP-8
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133+:￥4.4643 131+:￥4.5031 130+:￥4.5808 129+:￥4.8525 |
237 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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Texas Instruments
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VSONP-8
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3000+:￥4.592 2000+:￥4.715 1000+:￥4.838 |
9126 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.6 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 14.5 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1150 pF @ 30 V |
| FET 功能 | 标准 |
| 功率耗散（最大值） | 66W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | External:China |
| 封装地（城市）(ASO) | External:1 |