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IRFH8318TRPBF
Infineon(英飞凌)
PQFN-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta），120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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交期
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IRFH8318TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN-8(5x6)
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500+:￥1.45 100+:￥1.59 30+:￥1.89 10+:￥2.12 1+:￥2.68 |
553 |
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立创商城
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IRFH8318TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN(5x6)
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4000+:￥1.55 1+:￥1.63 |
6291 |
2年内
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圣禾堂
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IRFH8318TRPBF
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Infineon(英飞凌)
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PQFN-8(4.9x5.8)
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4000+:￥1.5704 1+:￥1.6536 |
5742 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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PQFN 5 X 6 E
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40000+:￥1.683 8000+:￥1.8169 4000+:￥1.9125 1000+:￥2.6775 300+:￥3.825 10+:￥6.2252 |
4202 |
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油柑网
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IRFH8318TRPBF
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INFINEON
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PQFN 5x6
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1+:￥1.47 |
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2104
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 27A（Ta），120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.1 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 41 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3180 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.6W（Ta），59W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |