WSD40110DN56G
WINSOK(微硕)
DFN-8(5x6)
¥1.566
4,833
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):110A,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V
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WSD40110DN56G
WINSOK(微硕)
DFN-8(5x6)

1000+:¥1.566

500+:¥1.602

100+:¥1.98

30+:¥2.115

10+:¥2.25

1+:¥2.52

4833

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WSD40110DN56G
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN-8

15000+:¥2.1112

10000+:¥2.1765

5000+:¥2.2438

28833

24+
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 110A
导通电阻(RDS(on)) 3.5mΩ@10V