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FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：250 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：250V，连续漏极电流(Id)：25A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V,25A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@10V,5.8A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：50V，连续漏极电流(Id)：220mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：340mA，导通电阻(RDS(on))：5.3Ω@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：13Ω@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.85Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：2.2Ω@10V
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：100mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：900mW
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：7.5A，导通电阻(RDS(on))：13mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：200mA，导通电阻(RDS(on))：5Ω@10V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：1.8Ω@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：85mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：34mΩ@4.5V,5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：75mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@10V,5A
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4.9A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V,4.9A
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：340mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：18V，连续漏极电流(Id)：12A，导通电阻(RDS(on))：11mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：12V，连续漏极电流(Id)：4.1A，导通电阻(RDS(on))：120mΩ@1.8V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：1.6A，导通电阻(RDS(on))：240mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：1.5W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.5A，耗散功率(Pd)：1.6W
漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：23mΩ@2.5V,6A，耗散功率(Pd)：1.25W
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：1.7Ω@10V,0.5A，耗散功率(Pd)：360mW
不适用于新设计
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：60V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：320mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：15A，导通电阻(RDS(on))：10mΩ@10V,7A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：50mΩ@10V,4A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：60A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
数量：1个N沟道+1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V；30V，连续漏极电流(Id)：8A；7A，导通电阻(RDS(on))：14.5mΩ@10V；17.5mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：90A，导通电阻(RDS(on))：3.1mΩ@10V,30A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：6.5A，导通电阻(RDS(on))：30mΩ@10V；33mΩ@4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：150mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@10V,0.15A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：8A，导通电阻(RDS(on))：18mΩ@4.5V,8A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V