咨询/建议
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：150A，导通电阻(RDS(on))：1.2mΩ@10V,75A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：29A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：600mΩ@10V,1.7A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：650V，连续漏极电流(Id)：11.5A，导通电阻(RDS(on))：360mΩ@10V,7A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：800 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.8A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：200 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.4A（Ta），60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：75V，连续漏极电流(Id)：100A，导通电阻(RDS(on))：6.4mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：40V，连续漏极电流(Id)：195A，导通电阻(RDS(on))：1.45mΩ@10V，耗散功率(Pd)：96W
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：950 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，连续漏极电流(Id)：15.1A，导通电阻(RDS(on))：400mΩ@10V,3.2435A，耗散功率(Pd)：31W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：900V，连续漏极电流(Id)：9A，导通电阻(RDS(on))：1.3Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.2kV，连续漏极电流(Id)：6A，导通电阻(RDS(on))：2.9Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：85V，连续漏极电流(Id)：200A，导通电阻(RDS(on))：2.8mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：64A，导通电阻(RDS(on))：6.5mΩ@10V,32A，耗散功率(Pd)：46W
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：1.5kV，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：5.8Ω@10V,1.5A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：45 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：1500 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：400mA，导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.3A，导通电阻(RDS(on))：55mΩ@4.5V
类型：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ@4.5V,0.5A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：500mA，导通电阻(RDS(on))：580mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：80mΩ@2.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：780mΩ@2.5V,0.2A
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：300mA，导通电阻(RDS(on))：6Ω@4.5V,0.1A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：100mA，导通电阻(RDS(on))：8Ω@4V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：750mA，导通电阻(RDS(on))：800mΩ@1.8V,0.45A
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：3.3A，导通电阻(RDS(on))：45mΩ@4.5V
数量：2个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：115mA，导通电阻(RDS(on))：7Ω@5V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：40mΩ@2.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：2.8A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V,2.8A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4.2A，导通电阻(RDS(on))：54mΩ@10V
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(RDS(on))：200mΩ@4.5V
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：5.8A，导通电阻(RDS(on))：59mΩ@2.5V,4A
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：170mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：48mΩ@10V
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：3A，导通电阻(RDS(on))：125mΩ@4.5V,3A，耗散功率(Pd)：350mW
数量：1个P沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(RDS(on))：60mΩ@10V