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SQ7414CENW-T1_GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK-1212-8W
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQ7414CENW-T1_GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK-1212-8W
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3000+:￥1.27086 1000+:￥1.29446 500+:￥1.31806 100+:￥1.34048 10+:￥1.357 |
5000 |
22+
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现货
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硬之城
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SQ7414CENW-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-1212-8W
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1000+:￥1.3095 500+:￥1.3483 100+:￥1.4065 30+:￥1.59 10+:￥1.7 1+:￥1.95 |
4121 |
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立创商城
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SQ7414CENW-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-1212-8W
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30000+:￥1.617 6000+:￥1.7456 3000+:￥1.8375 800+:￥2.5725 200+:￥3.675 10+:￥5.9811 |
18000 |
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油柑网
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SQ7414CENW-T1_GE3
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Vishay(威世)
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3000+:￥1.3399 |
40 |
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3天-5天
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唯样商城
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SQ7414CENW-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® 1212-8W
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3000+:￥2.26 1+:￥2.36 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 23 毫欧 @ 8.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1590 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 62W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8W |